石墨烯芯片將使中國芯實現彎道超車

一直以來，半導體芯片是我國科技發展的核心，我們生活中所用到的高科技產品都需要芯片驅動，目前在半導體芯片中，臺積電的5mm技術最為先進，但科技的腳步是永不停止的，臺積電一直致力于2nm乃至1nm級別的工藝發展，卻一直未取得重大進展。

此前，3nm工藝一直被認為FinFET技術的極限，臺積電的3nm工藝也一直采用著FinFET技術，并預計在下半年量產為蘋果代工廠生產A15處理器，但隨著蘋果的A15處理器選擇N5P工藝來看，臺積電的3nm工藝量產可能再度延期而未能趕上A15處理器的量產時間。

業內一直認為硅基芯片的極限為1nm，3nm工藝是已經逼近硅基芯片的極限，芯片的工藝量產一直都是業內的技術難題，被第二代EUV光刻機影響著芯片的制造升級。ASML此前表示第二代EUV光刻機最快也要在2025年實現量產，但卻在第一臺第二代EUV光刻機交付給Inter時出現了延遲交付問題，這表明著第二代EUV光刻機未必能在2025年實現量產，芯片升級并將被ASMLZ制約，無法實現量產。

在臺積電和Intel爭相宣布2nm乃至1nm級別工藝進展的時候，中國芯片卻在另辟蹊徑研發石墨烯芯片，其實，早在2015年時中國就已經開始研發石墨烯芯片，據了解，石墨烯芯片在性能方面有望比硅基芯片提高10倍，并且功耗遠遠低于硅基芯片，石墨烯芯片取得的研究成果讓石墨烯芯片有望成為攻克2nm技術的關鍵，破解硅基芯片的極限問題，繞開當前光刻機對中國芯片的阻礙，使得芯片行業取得跨時代發展，并對國外芯片技術實現彎道超車。

當前石墨烯芯片雖然尚未變成現實，但中國已開始將石墨烯技術應用于散熱片、石墨烯電池上。相信在不久的將來，中國能將石墨烯芯片量產成為現實，打破ASML的光刻制約，形成自己的芯片產業鏈，取得芯片行業的領先優勢。